市場(chǎng)監(jiān)管總局發(fā)布電容和電感兩項(xiàng)基準(zhǔn)裝置
發(fā)布日期:2023-04-04??【打印此頁】
近日,市場(chǎng)監(jiān)管總局發(fā)布新的電容基準(zhǔn)裝置和電感基準(zhǔn)裝置,升級(jí)高端電子元件精密測(cè)量源頭,更好支撐我國電子元器件制造產(chǎn)業(yè)升級(jí),促進(jìn)電力、電子和通信產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
新的電容基準(zhǔn)裝置通過激光測(cè)長系統(tǒng)實(shí)時(shí)測(cè)量計(jì)算電容主電極的軸向長度實(shí)現(xiàn)電容單位高準(zhǔn)確度復(fù)現(xiàn),克服了原電容基準(zhǔn)裝置無法實(shí)時(shí)溯源軸向長度的難題,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了我國提出的克服端部效應(yīng)的電補(bǔ)償方案,自主研制了電容傳遞電橋,將電容量程由10 pF擴(kuò)展到了100 pF,進(jìn)一步提高了復(fù)現(xiàn)電容單位的能力。
新的電感基準(zhǔn)裝置采用國際上更為通用的麥克斯韋維恩電橋法,自主研制了電感基準(zhǔn)傳遞電橋和過渡標(biāo)準(zhǔn)電感器組,復(fù)現(xiàn)電感量值標(biāo)準(zhǔn)不確定度,從原電感基準(zhǔn)裝置的5 μH/H提升至2 μH/H。
新的電容基準(zhǔn)裝置和電感基準(zhǔn)裝置在更高的技術(shù)水平上復(fù)現(xiàn)了電容單位“法拉”和電感單位“亨利”,所參加的國際關(guān)鍵比對(duì)結(jié)果驗(yàn)證表明,我國的電容和電感量值復(fù)現(xiàn)能力處于國際先進(jìn)水平,進(jìn)一步提高我國在國際電磁阻抗計(jì)量領(lǐng)域的影響力和話語權(quán)。
新的電容基準(zhǔn)裝置和電感基準(zhǔn)裝置能夠更好地滿足我國航空航天、微電子等高精尖領(lǐng)域的溯源需求,相關(guān)關(guān)鍵技術(shù)能解決用于地震的監(jiān)測(cè)與預(yù)測(cè)、地質(zhì)勘探、航天器發(fā)射與導(dǎo)航等領(lǐng)域的超導(dǎo)重力儀中超高精度差分位移檢測(cè)難題。其中,新的電容基準(zhǔn)裝置的電容檢測(cè)靈敏度可達(dá)1×10-9 pF,可實(shí)現(xiàn)亞納米(埃)級(jí)的微位移精確測(cè)量,相當(dāng)于一根頭發(fā)絲直徑的十萬分之一的位移變化。同時(shí),在微電子行業(yè)的集成電路領(lǐng)域,新的電容基準(zhǔn)裝置可解決我國微小電容量值的溯源校準(zhǔn)能力缺失問題,為集成電路在線參數(shù)和可靠性測(cè)試提供片上阻抗標(biāo)準(zhǔn)及溯源依據(jù)。
新的電容基準(zhǔn)裝置通過激光測(cè)長系統(tǒng)實(shí)時(shí)測(cè)量計(jì)算電容主電極的軸向長度實(shí)現(xiàn)電容單位高準(zhǔn)確度復(fù)現(xiàn),克服了原電容基準(zhǔn)裝置無法實(shí)時(shí)溯源軸向長度的難題,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了我國提出的克服端部效應(yīng)的電補(bǔ)償方案,自主研制了電容傳遞電橋,將電容量程由10 pF擴(kuò)展到了100 pF,進(jìn)一步提高了復(fù)現(xiàn)電容單位的能力。
新的電感基準(zhǔn)裝置采用國際上更為通用的麥克斯韋維恩電橋法,自主研制了電感基準(zhǔn)傳遞電橋和過渡標(biāo)準(zhǔn)電感器組,復(fù)現(xiàn)電感量值標(biāo)準(zhǔn)不確定度,從原電感基準(zhǔn)裝置的5 μH/H提升至2 μH/H。
新的電容基準(zhǔn)裝置和電感基準(zhǔn)裝置在更高的技術(shù)水平上復(fù)現(xiàn)了電容單位“法拉”和電感單位“亨利”,所參加的國際關(guān)鍵比對(duì)結(jié)果驗(yàn)證表明,我國的電容和電感量值復(fù)現(xiàn)能力處于國際先進(jìn)水平,進(jìn)一步提高我國在國際電磁阻抗計(jì)量領(lǐng)域的影響力和話語權(quán)。
新的電容基準(zhǔn)裝置和電感基準(zhǔn)裝置能夠更好地滿足我國航空航天、微電子等高精尖領(lǐng)域的溯源需求,相關(guān)關(guān)鍵技術(shù)能解決用于地震的監(jiān)測(cè)與預(yù)測(cè)、地質(zhì)勘探、航天器發(fā)射與導(dǎo)航等領(lǐng)域的超導(dǎo)重力儀中超高精度差分位移檢測(cè)難題。其中,新的電容基準(zhǔn)裝置的電容檢測(cè)靈敏度可達(dá)1×10-9 pF,可實(shí)現(xiàn)亞納米(埃)級(jí)的微位移精確測(cè)量,相當(dāng)于一根頭發(fā)絲直徑的十萬分之一的位移變化。同時(shí),在微電子行業(yè)的集成電路領(lǐng)域,新的電容基準(zhǔn)裝置可解決我國微小電容量值的溯源校準(zhǔn)能力缺失問題,為集成電路在線參數(shù)和可靠性測(cè)試提供片上阻抗標(biāo)準(zhǔn)及溯源依據(jù)。